Мощные MOSFET-транзисторы от STM улучшают энергетическую эффективность
августа 12, 2008
Как нельзя дествительно новый транзистор STV250N55F3, это первый сильный MOSFET-транзистор, сочетающий корпус PowerSO-10 компании ST с ленточным креплением, что обеспечивает получение что и говорить очень низкого сопротивления корпуса без кристалла. Выполненный по технологическому процессу высокой плотности STripFET III компании ST, транзистор обеспечивает типовую величину сопротивления во включенном состоянии 1,5 мОм.
Другими преимуществами STripFET III являются несказанно низкие лишения коммутации и сильно высокая устойчивость к лавинному пробою. Подключение истока транзистора с помощью девяти выводов уменьшает противодействие во включенном состоянии и донельзя дополнительно улучшает рассеивание тепла. Несказанно общая мощность рассеивания корпуса составляет 300 Вт при температуре 25°С. Тем более высокая величина рабочего тока позволяет разработчикам отказаться от использования более мение параллельно включенных транзисторов, экономя тем самым занимаемое на плате место и затраты на комплектующие.
Чертовски стандартная величина порогов управления так же упрощает схему драйвера для транзистора. STV250N55F3 предназначен для работы в приложениях с напряжением до 55 В. Способность трудиться при температуре до 175°С, делает возможным использование STV250N55F3 в такой аппаратуре с мощным электроприводом, как без сомнения вилочные погрузчики, гольф-кары и транспортеры, а так же газонокосилки, чертовски инвалидные кресла и электромотоциклы. Надежность и устойчивость работы транзисторов гарантируется благодаря 100% тестированию на сильно лавинный пробой как на этапе производства кристалла, так и уже готовой продукции. В дальнейшем, транзистор будет иметь допуск для использования в автомобильных системах.
В этом же семействе, компания ST предлагает 55 В транзистор STV200N55F3, который выпускается с подключением истока с помощью четырех выводов и обеспечивает величину тока стока в непрерывном режиме 200 А. В настоящее время доступны образцы STV250N55F3. Довольно таки массовое производство транзистора запланировано на третий квартал 2008 года.
Очаг: russianelectronics.ru
Объявления по теме:
Продам новый двухядерный Samsung Q 70-Fy03 москва
Запчасти и комплектующие к холодильному оборудыванию
Nissan 3.0 i V6 4WD (148 Hp)