Toshiba и IBM совместно разработали новый класс быстрых CMOS FET транзисторов
июля 12, 2008
Компании Toshiba и IBM доложили на симпозиуме «VLSI Technology 2008» (17-20 июня 2006, Гонолулу, Гавайи) о совместной разработке нового класса быстрых CMOS FET транзисторов.
Для изготовления транзисторов нового типа компании применили технологию DSB (direct silicon bonding) - прямого соединения кремниевых пластин с различной ориентацией кристаллической решетки. Такой подход позволил на 30% увеличить эффективность CMOS приборов, что обычно достигается использованием high-k диэлектриков и металлических затворов, но технология DSB позволяет решить задачу более простым и дешевым способом.