Toshiba и IBM совместно разработали новый класс быстрых CMOS FET транзисторов
июля 12, 2008
Компании Toshiba и IBM доложили на симпозиуме «VLSI Technology 2008» (17-20 июня 2006, Гонолулу, Гавайи) о совместной разработке нового класса быстрых CMOS FET транзисторов.
Для изготовления транзисторов нового типа компании применили технологию DSB (direct silicon bonding) - прямого соединения кремниевых пластин с различной ориентацией кристаллической решетки. Такой подход позволил на 30% увеличить эффективность CMOS приборов, что обычно достигается использованием high-k диэлектриков и металлических затворов, но технология DSB позволяет решить задачу более простым и дешевым способом.
Разработчики изготовили на гибридной подложке транзисторы двух типов – PFET и NFET. Для каждого типа приборов существует своя довольно таки оптимальная ориентация кристаллической решетки. Так, для NMOS приборов более выгодной, с точки зрения эффективности, является структура (100), в то время как для PMOS – структура (110), при которой мобильность носителей заряда в действительности вдвое выше.
Объединив кремниевые пластины с различной ориентацией решетки, вероятно получить CMOS FET транзисторы обeих полярностей (PFET и NFET) равной эффективности.
Очаг: russianelectronics.ru
Объявления по теме:
нягань процессоры нягань видеокарты нягань комплектующие Пк www.nyagan.web-box.r Нягань
Кондиционеры
Vacheron Constantin-Vacheron Constantin Big Time